سامسونج تبدأ بإنتاج رقاقة الذاكرة العشوائية 12GB LPDDR4X DRAM من أجل الهواتف الذكية

إلكتروني 0 تعليق ارسل طباعة تبليغ حذف

سامسونج تواصل سيرها نحو المستقبل الذي ترى بأنه سيكون مشرقًا عندما يتعلق الأمر بالأجهزة المحمولة. بعد بدء عملية إنتاج رقاقة الذاكرة eUFS 3.0 التي تصل سعتها إلى 512GB، فقد بدأت الشركة الآن كذلك بإنتاج رقاقة الذاكرة العشوائية DRAM التي تبلغ سعتها 12GB والمصممة للإستخدام في الهواتف الذكية.

رقاقة الذاكرة العشوائية هذه تستند على معيار LPDDR4X وتستخدم تكنولوجيا التصنيع المتقدمة 10 نانومتر، والتي كانت موجودة منذ العام الماضي. وإستطاعت شركة سامسونج إنشاء رقاقة الذاكرة العشوائية الجديدة هذه من خلال تكديس ست رقاقات 16Gb LPDDR4X في حزمة واحدة مدمجة تسحب طاقة أقل أيضًا. والنتيجة هي رقاقة بسمك 1.1 ملمتر فقط.

دراسة اللغة الإنجليزية في جامعة بانجور

من حيث الأداء، يمكن أن يصل معدل نقل البيانات في الرقاقة الجديدة إلى 34.1 جيجابايت في الثانية مع الإحتفاظ بنفس معدل إستهلاك الطاقة بسبب الزيادة في سعة الذاكرة العشوائية. عموما، توقع وصول رقاقة الذاكرة العشوائية Samsung 12GB LPDDR4X DRAM إلى الجيل التالي من الهواتف الذكية الراقية في وقت لاحق من هذا العام.

المصدر.

 

المصدر الاصلي: إلكتروني

أخبار ذات صلة

0 تعليق